與傳統(tǒng)的硅材料相比，碳化硅具有更寬的禁帶能隙以及更高的熔點(diǎn)、電子遷移率和熱導(dǎo)率，可在高溫、高電壓條件下穩(wěn)定工作，已成為新能源和半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)迭代升級(jí)的關(guān)鍵材料。

碳化硅襯底激光剝離系統(tǒng)。圖片來源：西湖大學(xué)

西湖大學(xué)工學(xué)院講席教授仇旻介紹，碳化硅行業(yè)降本增效的重要途徑之一，是制造更大尺寸的碳化硅襯底材料。與6英寸和8英寸襯底相比，12英寸碳化硅襯底材料擴(kuò)大了單片晶圓上可用于芯片制造的面積，在同等生產(chǎn)條件下，可顯著提升芯片產(chǎn)量，同時(shí)降低單位芯片制造成本。

“該技術(shù)實(shí)現(xiàn)了碳化硅晶錠減薄、激光加工、襯底剝離等過程的自動(dòng)化。”仇旻介紹，與傳統(tǒng)切割技術(shù)相比，激光剝離過程無(wú)材料損耗，原料損耗大幅下降。新技術(shù)可大幅縮短襯底出片時(shí)間，適用于未來超大尺寸碳化硅襯底的規(guī)模化量產(chǎn)，進(jìn)一步促進(jìn)行業(yè)降本增效。